1、PN结的反向击穿？ 2、反向击穿类型？ 3、什么是齐纳击穿（也叫隧道击穿）？ 4、什么是雪崩击穿？ 5、两者的区别？ 6、两者的共同点？ 1、PN结的反向击穿：当反向电压超过一定数值U(BR)，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。
2、反向击穿类型：按照击穿机制不同可分为两种类型，齐纳击穿与雪崩击穿。 3、齐纳击穿：PN结高掺杂，导致耗尽层宽度窄，根据电场强度计算公式E=U/d,耗尽层宽度窄d小，因此不大的反向电压U就可以产生很大的电场强度E，强大的电场会直接作用在共价键上直接破坏共价键，使得价电子脱离共价键，成为自由电子，形成大电流。 4、雪崩击穿：PN结低掺杂，但若加上了高反向电压即U增大，仍会导致电场强度E（E=U/d）的增大，在大电场下，耗尽层的少子因受到大的电场力的作用而加速运动，会撞击共价键，使得共价键中的价电子脱离共价键成为自由电子，新生成的自由电子又加速运动，撞击更多的共价键，使得载流子雪崩式增加，反向电流增大，形成雪崩击穿。 5、两者的区别：形成原因不同。 6、两者的共同点： （1）都是通过不同的方式增大电场强度E使得价电子脱离共价键成为自由电子，形成反向电流。 （2）电流若不加以限制都将永久性损坏PN结。
