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根据我一贯的作风，接下来该讲烧写/启动模式，然后再讲各种烧写方法和过程，最后是启动流程。 这一篇文章，就看一下 烧写/启动模式。
一、启动模式（Boot modes）
阅读：STM32中文参考手册_V10.pdf 查看启动配置（Boot modes）。
在STM32F10xxx里，可以通过BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式。
在系统复位后， SYSCLK的第4个上升沿， BOOT引脚的值将被锁存。用户可以通过设置BOOT1和BOOT0引脚的状态，来选择在复位后的启动模式。 在从待机模式退出时， BOOT引脚的值将被被重新锁存；因此，在待机模式下BOOT引脚应保持为需要的启动配置。在启动延迟之后， CPU从地址0x0000 0000获取堆栈顶的地址，并从启动存储器的0x0000 0004指示的地址开始执行代码。 因为固定的存储器映像，代码区始终从地址0x0000 0000开始(通过ICode和DCode总线访问)，而数据区(SRAM)始终从地址0x2000 0000开始(通过系统总线访问)。 Cortex-M3的CPU始终从ICode总线获取复位向量，即启动仅适合于从代码区开始(典型地从Flash启动)。 STM32F10xxx微控制器实现了一个特殊的机制，系统可以不仅仅从Flash存储器或系统存储器启动，还可以从内置SRAM启动。
根据选定的启动模式，主闪存存储器、系统存储器或SRAM可以按照以下方式访问： ● 从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问， 0x0000 0000或0x0800 0000。 ● 从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。 ● 从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。
注意： 当从内置SRAM启动，在应用程序的初始化代码中，必须使用NVIC的异常表和偏移寄存器，从新映射向量表之SRAM中。
二、原理图
从原理图上，看一下我们的开发板是什么启动模式。
或者购买的正点开发板的原理图
从原理图上看都是： BOOT1 X BOOT0 0
所以是，从主闪存存储器启动的。 而上面说了，主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问， 0x0000 0000或0x0800 0000。
再有思考，如果想用串口下载该怎么设置？ 一般情况下如果我们想用用串口下载代码，则必须配置 BOOT0为 1，BOOT1为0
